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220v轉(zhuǎn)24v 300mA非隔離AC-DC電源芯片降壓電路
 [廣東]
220V轉(zhuǎn)5V250mA交流轉(zhuǎn)直流非隔離芯片-AH8698B
 [廣東]
AC220V轉(zhuǎn)DC5V 100MA非隔離芯片-PM1132
  • AC220V轉(zhuǎn)DC5V 100MA非隔離芯片-PM1132
  • PM1132是一款非隔離型、高集成度且低成本的PWM功率開關(guān)，適用于降壓型電路。PM1132采用高壓單晶圓工藝，在同一晶片圓上集成有500
  • 2024-07-19 16:56     
[廣東]
HA5836AE高精度的非隔離降壓型LED控制芯片
 [廣東]
WS3418 有源PFC非隔離降壓型LED驅(qū)動器
  • WS3418 有源PFC非隔離降壓型LED驅(qū)動器
  • WS3418 有源PFC非隔離降壓型LED驅(qū)動器1、特點■ 高PF值，低THD■ 動態(tài)溫度補償■ 內(nèi)置500V/650V功率MOSFET■ 無需輔助線圈供電■
  • 2016-09-27 14:55     
[廣東]
降壓型LED驅(qū)動，非隔離低功率因素WS9420
 [廣東]
穩(wěn)先微非隔離高功率因素WS3418
  • 穩(wěn)先微非隔離高功率因素WS3418
  • 穩(wěn)先微非隔離高功率因素WS3418一、特點● 內(nèi)部對EMI輻射干擾進行了優(yōu)化設(shè)計● 內(nèi)置650V功率MOSFET● 高PF值，低THD● 谷底開關(guān)，
  • 2016-09-14 11:36     
[廣東]
非隔離低功率因素WS7520
  • 非隔離低功率因素WS7520
  • 非隔離低功率因素WS7520特點● 最為精簡的外圍線路● 內(nèi)部集成500V功率管● 啟動時間低至0.1ms● 內(nèi)置智能溫控功能● 內(nèi)置過溫保
  • 2016-09-07 16:41     
[廣東]
非隔離低功率因素WS3441A
  • 非隔離低功率因素WS3441A
  • 非隔離低功率因素WS3441A特點● 臨界模式工作，無需電感補償● 內(nèi)置500V 功率MOSFET● 芯片超低工作電流，無需輔助繞組供電● 高
  • 2016-09-07 16:38     
[廣東]
WINSEMI非隔離低功率因素WS9445P
  • WINSEMI非隔離低功率因素WS9445P
  • 1、特點● 臨界模式工作，無需電感補償● 內(nèi)置600V 功率MOSFET● 柵極驅(qū)動，無需輔助繞組供電● 高達3%的LED 電流精度● 高達93%
  • 2016-09-07 15:40     
[廣東]
WINSEMI非隔離低功率因素WS9442P
  • WINSEMI非隔離低功率因素WS9442P
  • 1、特點● 臨界模式工作，無需電感補償● 內(nèi)置500V 功率MOSFET● 柵極驅(qū)動，無需輔助繞組供電● 高達3%的LED 電流精度● 高達93%
  • 2016-09-07 15:37     
[廣東]
WINSEMI非隔離低功率因素WS3443
  • WINSEMI非隔離低功率因素WS3443
  • 1、特點● 臨界模式工作，無需電感補償● 內(nèi)置500V 功率MOSFET● 芯片超低工作電流，無需輔助繞組供電● 高達3%的LED 電流精度●
  • 2016-09-02 10:38     
[廣東]
WINSEMI非隔離低功率因素WS3442
  • WINSEMI非隔離低功率因素WS3442
  • 一、特點● 臨界模式工作，無需電感補償● 內(nèi)置500V 功率MOSFET● 芯片超低工作電流，無需輔助繞組供電● 高達3%的LED 電流精度
  • 2016-09-02 10:37     
[廣東]
WINSEMI非隔離低功率因素WS3441
  • WINSEMI非隔離低功率因素WS3441
  • WINSEMI非隔離低功率因素WS34411、特點● 臨界模式工作，無需電感補償● 內(nèi)置500V 功率MOSFET● 芯片超低工作電流，無需輔助繞組
  • 2016-09-02 10:34     
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