9月11日，國星光電(002449)公告稱，公司擬向不超過10名特定投資者非公開發行不超過9055萬股，發行價格不低于6.96元/股。此次，公司擬募集不超過6.3億元資金投入國星半導體外延芯片項目(二期)(以下簡稱芯片二期)及補充流動資金，其中5億用于國星半導體外延芯片項目(二期)建設，1.1億補充公司流動資金。

 預案顯示，芯片二期項目總投資為6.2億元，國星光電擬投入募集資金5億元。項目建成后，將年產LED外延片410.5萬片，240.5萬片，大中芯片36.6億粒，外延片全部用于生產芯片。項目建設期為15個月，預計達產后年可實現銷售收入5.32億元，稅后凈利潤8347萬元。

 國星光電表示，此次非公開發行，將進一步夯實公司在LED行業“垂直一體化”的業務架構，提高公司封裝產品的市場競爭力。

 事實上，國星光電早在2012年便啟動了芯片一期項目的建設工作。一期項目總投資10.39億元，引進了20條MOCVD生產線及相應的芯片生產設備，并一次性建成了滿足50條MOCVD生產線及相應的芯片生產設備使用的生產廠房。預計可形成年產外延片96萬片、芯片63.36億粒的生產能力。國星光電曾表示，經過調試和小批量生產后，公司預計9月底能夠實現一期項目量產。

 記者注意到，高工LED產業研究所(GLII)數據顯示，截至2012年底，國內MOCVD數量已經達到917臺，而去年全年MOCVD產能利用率僅三成左右，已經引發市場對芯片產能過剩的擔憂。國星光電上述兩期項目達產后，公司半導體整體芯片產能將達到每年100億顆左右。這無疑將極大的考驗公司未來的產能消化能力。