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臺大研發“零缺陷”半導體材料 LED發光效能增100倍

放大字體  縮小字體 發布日期:2015-12-25 來源:經濟日報瀏覽次數:234
   長期以來,當半導體的材料越薄,對電子、光電元件的效能越有不良影響,不過,臺大跨國團隊研發獨步全球的零缺陷半導體材料,透過“修復缺陷”的方法,將可提升LED發光效能100倍,已刊登在《Science》期刊。
 
  這項研究是由加州大學柏克萊分校教授Ali Javey、阿拉伯阿卜杜拉國王科技大學教授何志浩、前臺大校長李嗣涔、臺大博士連德軒等人合作,將二維材料浸于有機超強酸中,可讓單層薄膜達到“零缺陷”,大幅提高發光效率。
  臺大研發團隊說明,二維半導體材料具有特殊的電子傳導、光學、機械特性,可整合在現今半導體元件制程,被視為具有很大的潛力可以取代傳統矽材元件,其中二硫化鉬(MoS2) 是最熱門的半導體二維材料之一,不過,以目前的合成制備技術,二維材料的缺陷密度仍然偏高。
 
  跨國研究團隊經過長期研究,發現將二硫化鉬(MoS2)材料浸潤在亞胺(bistriflimide)的有機超強酸中,可大幅提高二維材料的量子效率,可以從不到1%增加到接近100%,為電晶體帶來革命性改變。
 
  這項技術未來可望應用于開發透明的LED顯示器、超高效太陽能電池、高靈敏度的光偵測器,以及低功耗的奈米級電晶體。
 
  本研究的共同第一作者連德軒,是臺灣本土培育有成的年輕博士,在今年首次拿到國際電子半導體學會IEEE頒發的獎學金,剛完成博士口試,本學期即將畢業,而且他撰寫的論文也是臺大第一篇被選進VLSI technology會議發表的論文,被選為焦點文章,受到30個國際媒體報導。
 
  目前連德軒已在加州柏克萊大學執行科技部第2年的龍門計劃,畢業后將繼續在加州大學柏克萊分校繼續擔任博士后研究員。
 
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關鍵詞: 半導體材料 LED 光效
 
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