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開拓進取,譜寫第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展新篇章

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2017-06-27 來源:中國半導(dǎo)體照明網(wǎng)瀏覽次數(shù):630
   ----聯(lián)盟召開第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新戰(zhàn)略發(fā)布會
 
  2017年6月25日,第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新戰(zhàn)略發(fā)布會在北京中國職工之家隆重召開。此次發(fā)布會由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(以下簡稱“聯(lián)盟”)主辦,來自部委、地方政府的30多位領(lǐng)導(dǎo)以及十多位院士、200多位行業(yè)同仁共同見證了第三代半導(dǎo)體研究院、第六屆中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽之第二屆國際第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽等對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展意義重大的創(chuàng)新戰(zhàn)略舉措的發(fā)布。
  會議現(xiàn)場
 
  國際半導(dǎo)體照明聯(lián)盟主席、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導(dǎo)委員會主任曹健林,國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會主任干勇院士,北京有色金屬研究總院名譽院長屠海令院士,中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所陳良惠院士,中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所夏建白院士,南京大學(xué)教授鄭有炓院士,中國科學(xué)院微電子器件與集成技術(shù)重點實驗室主任劉明院士,科技部高新司司長秦勇,科技部火炬中心主任張志宏,聯(lián)盟指導(dǎo)委員會副主任趙玉海,聯(lián)盟指導(dǎo)委員會副主任、國際半導(dǎo)體照明聯(lián)盟聯(lián)合秘書長靳曉明,聯(lián)盟指導(dǎo)委員會秘書長、中國科學(xué)學(xué)與科技政策研究會副理事長李新男,聯(lián)盟理事長吳玲以及來自廣東、廈門、蕪湖吉林、張家口、成都、常州等地方政府、科技部門的眾多領(lǐng)導(dǎo)及業(yè)內(nèi)專家出席了會議。
 
  曹建林主席在致詞中表示,看到這么多既有來自大學(xué)、科研院所的科研機構(gòu),也有來自產(chǎn)業(yè)界的企業(yè)和科技部及各地政府的官員一起來開會,感到大家對中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重視。大家來這里不僅僅是為得到一些信息,更重要的是想通過獲取、交流信息真正的能夠聯(lián)合起來,一起把第三代半導(dǎo)體事業(yè)做大,做強。中國發(fā)展第三代半導(dǎo)體有一些獨到的優(yōu)勢,我們有信心把第三代半導(dǎo)體做好。中國最重要的優(yōu)勢是有全球最大的市場。其次,我們正在推進科技體制機制的創(chuàng)新,盡管有很多問題,但我們愿意不斷努力共同發(fā)展這份事業(yè)。像習(xí)總書記講的擼起袖子扎扎實實的干,相信我們一定會在第三代半導(dǎo)體上取得成功。
 
  干勇院士在致辭中表示,中國第三代半導(dǎo)體在研發(fā)應(yīng)用上和發(fā)達國家差距較小,甚至有些地方是領(lǐng)先的,以后將會是中國新材料非常值得驕傲的領(lǐng)域。第三代半導(dǎo)體將是下一代節(jié)能減排、高端制造重要的支撐材料,今天聯(lián)盟的創(chuàng)新發(fā)布會非常及時,把企業(yè)、院所、大學(xué)等各種力量集中在了一起。這兩天科技部正在牽頭制定新材料的國家重大專項方案,第三代半導(dǎo)體占有重要地位,目標很明確,實現(xiàn)到2030年通過應(yīng)用第三代半導(dǎo)體實現(xiàn)節(jié)約標煤5.6億噸,二氧化碳減排12.6億噸,這個數(shù)據(jù)相當大,我們感到相當鼓舞。在5G上硅材料已經(jīng)達到極限,所以氮化鎵射頻器件將全面應(yīng)用在5G上,為我們國家微電子技術(shù)做出更大貢獻。希望大家一起推動第三代半導(dǎo)體為國家做出更大貢獻。
  國際半導(dǎo)體照明聯(lián)盟主席、聯(lián)盟指導(dǎo)委員會主任  曹健林
  中國工程院院士、國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會主任  干 勇
 
  吳玲理事長做了題為“第三代半導(dǎo)體發(fā)展戰(zhàn)略”的報告。吳玲在報告中指出,綠色低碳、萬物互聯(lián)、智能化已成為全球共識,第三代半導(dǎo)體是支撐國家重大戰(zhàn)略需求、實現(xiàn)引領(lǐng)發(fā)展、重朔全球半導(dǎo)體戰(zhàn)略格局的重大選擇。第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展的時機已經(jīng)成熟,目前正處于窗口期,一方面國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和裝備巨頭還未形成專利、標準和規(guī)模的壟斷,中國精密加工制造技術(shù)和配套能力的進步迅速,具備開發(fā)并逐步主導(dǎo)該產(chǎn)業(yè)的能力和條件;另一方面,各地產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級的需要很強,具有中國特色的“政產(chǎn)學(xué)研用”協(xié)同創(chuàng)新模式,也為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了可借鑒的經(jīng)驗和成功的可能性。第三代半導(dǎo)體需要創(chuàng)新來引領(lǐng),改革來推動,依托聯(lián)盟建設(shè)小核心、大網(wǎng)絡(luò)、主平臺、全體系,形成產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新體系和可持續(xù)發(fā)展的生態(tài)環(huán)境,從戰(zhàn)略高度,全面、深入整合和利用國際資源。我們的目標是到2030年,全產(chǎn)業(yè)鏈進入世界先進行列,部分核心關(guān)鍵技術(shù)國際引領(lǐng),產(chǎn)業(yè)鏈核心環(huán)節(jié)形成1-3家世界龍頭企業(yè),光電子、電力電子和微波射頻全面規(guī)模應(yīng)用,市場滲透率超過70%,國產(chǎn)化率超過70%。
  第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長  吳 玲
 
  會上曹健林主席、趙玉海主任、吳玲理事長為聯(lián)盟新成立的京津冀協(xié)同創(chuàng)新委員會、軍民融合委員會、一帶一路委員會、投融資委員會等委員會主任和副主任頒發(fā)了聘書。其中,軍民融合委員會主任由中國工程院院士、中國運載火箭技術(shù)研究院航天材料及工藝研究所副所長李仲平,中國電子科技集團公司第十三研究所所長卜愛民共同擔任;一帶一路委員會由國際半導(dǎo)體照明聯(lián)盟聯(lián)合秘書長靳曉明,國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟研發(fā)執(zhí)行主席李晉閩共同擔任;京津冀協(xié)同創(chuàng)新委員會由中國科學(xué)研究院半導(dǎo)體所研究員陳弘達,中國電子科技集團公司第13研究所副所長蔡樹軍共同擔任;投融資委員會由中國科學(xué)學(xué)與科技政策研究會副理事長、聯(lián)盟指導(dǎo)委員會秘書長李新男,中軍金控董事長藏家順共同擔任。
  新成立分委會聘書頒發(fā)
 
  第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用技術(shù)涉及材料、能源、交通、信息、裝備和自動化等多個領(lǐng)域,具有多學(xué)科交叉、融合的特點,從基礎(chǔ)研發(fā)到工程化應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)鏈條長、應(yīng)用覆蓋面廣,現(xiàn)階段沒有任何企業(yè)有能力獨自完成全鏈條的技術(shù)創(chuàng)新,需要抱團發(fā)展;同時產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期也需建立不封閉于企業(yè)內(nèi)、開放的研發(fā)和中試平臺。為了解決以上問題,同時放大國家投入的能力,降低行業(yè)整體研發(fā)成本,提高國家研發(fā)投入的回報,減少主體企業(yè)經(jīng)營風(fēng)險,吸引國際化一流人才,并與企業(yè)不形成競爭關(guān)系,在政府相關(guān)部門指導(dǎo)下,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟發(fā)起組建了北京國科第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新研究院,以服務(wù)企業(yè)為宗旨,支撐企業(yè)成為創(chuàng)新主體。
 
  會上,聯(lián)盟理事長吳玲與全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院、株洲中車時代電氣股份有限公司、中興通訊股份有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、中電科電子裝備集團有限公司、廈門市三安集成電路有限公司、杭州士蘭微電子股份有限公司、山東天岳先進材料科技有限公司、東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司、北京世紀金光半導(dǎo)體有限公司、北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司11家企業(yè)代表共同簽署了共建研究院的戰(zhàn)略合作協(xié)議。研究院將圍繞產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)建創(chuàng)新鏈,通過資源整合、優(yōu)勢互補、錯位發(fā)展,建立體制機制創(chuàng)新的開放式、國際化、全體系的第三代半導(dǎo)體協(xié)同創(chuàng)新平臺,推動中國第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈進入世界先進行列。
  北京國科第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院聯(lián)合共建簽約
 
  曹健林主席、張志宏主任與廣東省科技廳副廳長楊軍,廈門市科技局局長沈燦煌,北京市順義區(qū)副區(qū)長初軍威,吉林省科技廳調(diào)研員蔣有文,張家口市經(jīng)開區(qū)黨工委副書記、管委會主任李正樸,江蘇常州武進高新區(qū)副主任李磊,成都高新區(qū)創(chuàng)新中心主任繆曉波,蕪湖國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)微電子產(chǎn)業(yè)辦公室主任王東升共同啟動了第六屆中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽之第二屆國際第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽。聯(lián)盟吳玲理事長為廣東、廈門、蕪湖、吉林、張家口、成都、常州7個地方賽組委會頒發(fā)了授權(quán)書。
  聯(lián)盟為地方賽組委會頒發(fā)授權(quán)書
 
  值第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新戰(zhàn)略發(fā)布會召開之際,第六屆中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽之第二屆國際第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽正式啟動,并聯(lián)合大企業(yè)共同發(fā)布企業(yè)命題。國際第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽由聯(lián)盟發(fā)起,于2017年3月被納入中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽專業(yè)賽體系。第二屆國際第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽設(shè)立京津冀、南方、長三角、東北、西部、中部、廈門等分賽區(qū),比賽地點分別為河北張家口、廣東東莞、江蘇常州、吉林長春、四川成都、安徽蕪湖、福建廈門。國際項目將在意大利、英國、荷蘭、芬蘭四國征集。大賽將在北京市順義區(qū)舉行的北京SSL國際論壇上進行全球總決賽、頒獎、項目對接和展示。
  第六屆中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽之第二屆國際第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽啟動儀式
 
  大賽創(chuàng)新性的引入大企業(yè)帶小項目參加比賽,將為獲獎項目落地提供超過2000萬元的資金支持。大企業(yè)應(yīng)標成功項目,還可以獲得龍頭企業(yè)產(chǎn)業(yè)渠道對接及50億元產(chǎn)業(yè)基金支持。此外,大賽聯(lián)合國內(nèi)知名投資機構(gòu)設(shè)立100億元投融基金池,全面覆蓋參賽獲獎項目和行業(yè)內(nèi)的創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)項目。
 
  大賽將通過賽事平臺選拔出一批優(yōu)質(zhì)的企業(yè)和創(chuàng)業(yè)團隊,全面整合國內(nèi)外優(yōu)秀的第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新項目,加速科技成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化與各地政府科技資源開放共享,通過北京輻射全國,形成第三代半導(dǎo)體上、中、下游完整的產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈。
 
  之后,南京大學(xué)鄭有炓院士做了題為“第三代半導(dǎo)體發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢”的報告,全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院邱宇峰書記做了“第三代半導(dǎo)體在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用與需求”的報告,中國電子科技集團公司第十三研究所蔡樹軍副所長做了“GaN材料及應(yīng)用技術(shù)進展”的報告。會議由聯(lián)盟秘書長于坤山主持。
  南京大學(xué)教授、中科院院士  鄭有炓
  全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院書記  邱宇峰
  中國電子科技集團公司第十三研究所副所長  蔡樹軍
 
  此次發(fā)布會對于第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義重大,得到了科技部、工信部以及多個地方政府的支持和參與,形成了國家部委、地方政府從頂層規(guī)劃到落地實施的協(xié)同推進、共同創(chuàng)新的良好態(tài)勢,揭開了第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展的新篇章。
 
  目前,第三代半導(dǎo)體材料正處于產(chǎn)業(yè)應(yīng)用起步階段,相比第一、第二代半導(dǎo)體,第三代半導(dǎo)體材料在大功率、高溫、高頻、抗輻射微電子領(lǐng)域,以及短波長光電子領(lǐng)域有明顯優(yōu)勢,正在成為搶占下一代信息技術(shù)、節(jié)能減排技術(shù)及國防安全技術(shù)的戰(zhàn)略制高點。
 
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