2017年11月1日，由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、北京市順義區(qū)人民政府主辦的第十四屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇暨 2017 國際第三代半導(dǎo)體論壇開幕大會在北京順義隆重召開。
會期兩天半，同期二十余場次會議。2日上午，由中國電子科技集團第十三研究所和專用集成電路重點實驗室共同協(xié)辦的“氮化鎵功率電子器件”技術(shù)分會上，來自加拿大多倫多大學(xué)的教授Wai Tung NG分享了“GaN功率晶體管的柵極驅(qū)動器集成電路”報告。
Wai Tung NG教授表示，氮化鎵的HEMTS非常重要，對于坍塌電壓方面會有非常大的韌性，而且在這里他們有一個比較好的限度。因為是硅，所以這里面很多的數(shù)據(jù)已經(jīng)達到了這些硅的上限，比如說這個里面提到了HBT的上限，大家可以看到氮化鎵和砷化鎵沒有達到極限，很多可以進一步的改善。如果把這些寬帶系的材料進行使用的話，韌性比較強、電阻也會比較強，這是就是他們的賣點。
緊接著，他介紹了GaN功率晶體管的柵極驅(qū)動器集成電路的基本驅(qū)動方面的方法，探討了不同的氮化鎵功率器件，現(xiàn)在商用的驅(qū)動器以及他們的局限性，回顧了典型的氮化鎵驅(qū)動器IC的設(shè)計等等。（根據(jù)現(xiàn)場速記整理，如有出入敬請諒解！）
