2017年11月1日，由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、北京市順義區(qū)人民政府主辦的第十四屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇暨 2017 國際第三代半導(dǎo)體論壇開幕大會(huì)在北京順義隆重召開。會(huì)期兩天半，同期二十余場次會(huì)議。

　　其中，2日上午，由中國電子科技集團(tuán)第十三研究所和專用集成電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室共同協(xié)辦的“氮化鎵功率電子器件”技術(shù)分會(huì)上，來自中國科學(xué)院微電子研究所研究員黃森分享“基于超薄壁壘AlGaN / GaN 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的常關(guān)型GaN MIS-HEMTs制造”報(bào)告。

　　會(huì)上，黃森超研究員主要介紹了薄勢壘（UTB）AlGaN / GaN異質(zhì)結(jié)用于制造常關(guān)斷型GaN基MIS-HEMT。

 

　　通過低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）生長的SiNx鈍化膜，有效地減少了超薄勢壘（UTB） Al0.22Ga0.78N（5nm）/ GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中2維電子氣體（2DEG）的薄層電阻。制造的Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT表現(xiàn)出正常的OFF特性，具有良好的VTH均勻性和低的VTH滯后。此外，還展示了開啟電阻為0.75Ω，門寬20 mm功率器件。（根據(jù)現(xiàn)場速記整理，如有出入敬請諒解！）