11月9日，英諾賽科(珠海)科技有限公司自主研發(fā)的中國首條8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線正式通線投產(chǎn)。該技術(shù)突破了低翹曲度、低缺陷及位錯密度、低漏電晶圓制造的全球性挑戰(zhàn)，達到全球領先水平。它對解決我國半導體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)瓶頸，帶動上下游產(chǎn)業(yè)發(fā)展，助力我國半導體產(chǎn)業(yè)和先進制造業(yè)的崛起具有重要的促進作用。副市長閻武出席了投產(chǎn)儀式。

　　德國科學院院士Eicke R.Weber教授致辭時表示，公司將帶動中國半導體產(chǎn)業(yè)領先國際

 

　　英諾賽科（珠海）科技有限公司（簡稱“英諾賽科公司”）是2015年12月由美國英諾賽科集團與珠海市高新創(chuàng)投等共同發(fā)起成立的半導體企業(yè)，一期項目坐落于珠海市高新區(qū)，共投資10.9億元人民幣，將以雄厚的技術(shù)實力打造一個集研發(fā)、設計、外延生長、芯片制造、測試為一體的世界領先的寬禁帶半導體企業(yè)。

 

　　英諾賽科公司已經(jīng)擁有世界領先的8英寸硅基氮化鎵外延技術(shù)，突破了低翹曲度、低缺陷及位錯密度、低漏電晶圓制造的全球性挑戰(zhàn)。經(jīng)過兩年的努力，公司已建成中國首條完整8英寸硅基氮化鎵外延與芯片量產(chǎn)生產(chǎn)線，主要產(chǎn)品包括100V-650V氮化鎵功率器件，設計及性能均達到國際最先進水平，具有擊穿電壓高、導通電阻低、開關速度快、零反向恢復電荷及無電流崩塌等特點。將廣泛應用于電力電子、新能源、電動汽車、信息與通信和智能工業(yè)等領域。

 

　　出席儀式的中國半導體行業(yè)協(xié)會執(zhí)行副理事長兼秘書長徐小田、歐洲微電子所（IMEC）副總裁Rudi Cartuyvels、德國愛思強（Aixtron）公司總裁Dr. Felix J. Grawert等眾多國際行業(yè)領袖對英諾賽科公司取得的突破表示高度贊賞。

 

　　英諾賽科公司董事長駱薇薇博士和公司創(chuàng)始人德國科學院院士Eicke R.Weber教授表示，將發(fā)揮技術(shù)領先優(yōu)勢，將公司打造成世界級半導體企業(yè)，助推中國創(chuàng)新發(fā)展。

 

　　在當天下午舉行的現(xiàn)場研討會上，多名業(yè)內(nèi)知名專家就氮化鎵技術(shù)發(fā)展、應用驗證、市場拓展和公司運營等進行了戰(zhàn)略研討，一致認為：氮化鎵產(chǎn)業(yè)已經(jīng)到了爆發(fā)前夜，公司率先在8英寸硅基氮化鎵晶圓產(chǎn)業(yè)化上取得重大突破，先機已備，為今后的成功奠定了良好基礎，必將為中國在半導體領域?qū)崿F(xiàn)“換道超車”做出貢獻。