第三代半導(dǎo)體氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點(diǎn)，在新一代移動(dòng)通信中應(yīng)用潛力巨大。這一特定領(lǐng)域的突破標(biāo)志著寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向新的高地。誰(shuí)掌握著技術(shù)的高地，誰(shuí)就擁有更多的話語(yǔ)權(quán)。

 

會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)

 

　　2018年10月23-25日，第十五屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）在深圳會(huì)展中心舉行。其中，24日上午由中國(guó)電子科技集團(tuán)第十三研究所、蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司支持協(xié)辦的“第三代半導(dǎo)體微波射頻技術(shù)分會(huì)”在河北半導(dǎo)體研究所副所長(zhǎng)蔡樹(shù)軍和蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長(zhǎng)張乃千共同主持下成功召開(kāi)。

　　“第三代半導(dǎo)體微波射頻技術(shù)分會(huì)”作為論壇重要技術(shù)分會(huì)之一，會(huì)上，來(lái)自日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)特聘教授敖金平在《用于微波無(wú)線電能傳輸?shù)牡壣漕l肖特基二極管》研究報(bào)告。

 

　　敖金平博士1989年畢業(yè)于武漢大學(xué)物理系，獲學(xué)士學(xué)位。1992年獲電子工業(yè)部第十三研究所半導(dǎo)體物理與半導(dǎo)體器件物理碩士學(xué)位。2000年獲吉林大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)博士學(xué)位。曾擔(dān)任電子工業(yè)部第十三研究所GaAs超高速集成電路研究室副主任，高級(jí)工程師。2001年赴日本國(guó)立德島大學(xué)作博士后研究員，2003年11月起加入德島大學(xué)并于2012年升任準(zhǔn)教授。2016年起任西安電子科技大學(xué)特聘教授，博士生導(dǎo)師。主要從事基于GaN的光電器件和電子器件的研究工作。在國(guó)際學(xué)術(shù)期刊和國(guó)際會(huì)議上發(fā)表論文200余篇，擁有多項(xiàng)發(fā)明專利。敖博士是國(guó)際電氣電子工程師協(xié)會(huì)(IEEE)高級(jí)會(huì)員，美國(guó)電氣化學(xué)協(xié)會(huì)(ESC)會(huì)員，日本應(yīng)用物理學(xué)會(huì)會(huì)員以及日本電子情報(bào)通信學(xué)會(huì)會(huì)員。

 

　　報(bào)告中介紹到，無(wú)線電能傳輸技術(shù)是非常有前景的新技術(shù)，可以用在各種各樣的無(wú)線系統(tǒng)，比如無(wú)線充電、能量收割、無(wú)處不在的電源和建筑物內(nèi)的電源供應(yīng)等。在微波無(wú)線電能傳輸系統(tǒng)里，通常采用天線整流電路（rectenna）來(lái)完成RF到DC的能量轉(zhuǎn)換。天線整流電路廣泛地用到肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）。但是，目前市場(chǎng)上很難找到能在天線整流電路中實(shí)現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率的器件。這種肖特基勢(shì)壘二極管需要具備低導(dǎo)通電阻、低結(jié)電容和低開(kāi)啟電壓。

 

　　介紹了用于微波無(wú)線電能傳輸?shù)牡壭ぬ鼗鶆?shì)壘二極管。利用反應(yīng)性磁控濺射合成的TiN電極的氮化鎵肖特基勢(shì)壘二極管，與Ni電極相比具有更低的開(kāi)啟電壓。反之，利用反應(yīng)性磁控濺射合成的NiN電極的氮化鎵肖特基勢(shì)壘二極管，與Ni電極相比具有更低的反向漏電流。不同的器件可望在不同接收功率的系統(tǒng)中得到應(yīng)用。總之，氮化鎵射頻肖特基勢(shì)壘二極管可望提高微波無(wú)線電能傳輸中的天線整流電路的 RF/DC轉(zhuǎn)換效率，應(yīng)用前景可觀。【根據(jù)會(huì)議資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解！】