上午平行進(jìn)行北卡羅來(lái)納州立大學(xué)客座教授Q. Jon Zhang講授的《碳化硅功率器件的設(shè)計(jì)、工藝與應(yīng)用》以及Transphorm公司高級(jí)副總裁Yifeng Wu講授的《GaN功率器件的技術(shù)、性能、可靠性及應(yīng)用》兩場(chǎng)培訓(xùn)。張教授的講座從功率碳化硅器件的類(lèi)型出發(fā)，聚焦碳化硅MOSFET的設(shè)計(jì)和工藝，最后分享了碳化硅器件未來(lái)發(fā)展的趨勢(shì)展望。吳博士的講座涵蓋了氮化鎵器件的設(shè)計(jì)、可靠性以及應(yīng)用等方面的內(nèi)容，分析了氮化鎵器件及應(yīng)用大規(guī)模市場(chǎng)化的時(shí)間拐點(diǎn)。

授課現(xiàn)場(chǎng)

下午進(jìn)行荷蘭屯特大學(xué)教授Bram Ferreira《第三代半導(dǎo)體在電力電子系統(tǒng)應(yīng)用中的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。 Ferreira教授從器件級(jí)集成、板級(jí)集成和系統(tǒng)級(jí)集成三個(gè)方面闡述了隨著第三代半導(dǎo)體在電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用所帶來(lái)的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。

第三代半導(dǎo)體材料是支撐新一代信息技術(shù)、節(jié)能減排和智能制造的“核芯”，在消費(fèi)電子、工業(yè)驅(qū)動(dòng)、農(nóng)業(yè)機(jī)械、電力傳輸、軌道交通與軍事應(yīng)用等眾多領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。作為國(guó)家專項(xiàng)部署的重要內(nèi)容之一，人才短缺是目前阻礙第三代半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主要瓶頸。
       此次培訓(xùn)邀請(qǐng)國(guó)際資深專家授課，主要課程包括碳化硅、氮化鎵材料與器件、工藝、封裝、測(cè)試及應(yīng)用技術(shù)等，以研發(fā)實(shí)際中遇到的問(wèn)題及最新解決思路及方案為主要培訓(xùn)內(nèi)容；培訓(xùn)方式以專業(yè)講授、互動(dòng)討論為主，培訓(xùn)內(nèi)容切合企業(yè)需求，對(duì)于開(kāi)拓學(xué)員視野、深度把握國(guó)際最新前沿非常有利。