2020年11月23-25日，第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）將在深圳會展中心舉行。本屆論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦。南方科技大學與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦。
以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼等為代表的超寬禁帶半導體材料的研究和應用，近年來不斷獲得技術的突破。超寬帶半導體材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及材料穩定性，在新一代深紫外光電器件、高壓大功率電力電子器件等意義重大的應用領域具有顯著的優勢和巨大的發展潛力。
其中，超寬禁帶半導體技術分會著重研討超寬禁帶半導體材料的制備、工藝技術、關鍵設備及半導體器件應用，旨在搭建產業、學術、資本的高質量交流平臺，共同探討超寬禁帶半導體材料及器件應用發展的新技術、新趨勢，積極推動我國超寬禁帶半導體材料和器件應用的發展。
中科院微電子所教授、中國科學院院士劉明與山東大學晶體材料國家重點實驗室主任、教授陶緒堂共同擔任本屆分會主席。西安電子科技大學科學研究院院長、教授張進成，中國科學技術大學微電子學院執行院長龍世兵，北京大學教授王新強，鄭州大學教授劉玉懷，西安交通大學教授王宏興等專家們擔任分會委員。
日本國立佐賀大學同步輻射光應用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新，上海光學精密機械研究所研究員夏長泰，鄭州大學教授、河南省電子材料與系統國際聯合實驗室國家電子材料與系統國際聯合研究中心主任劉玉懷，湖北大學材料工程學院教授何云斌，西安交通大學副教授李強，AIXTRON中國區市場營銷和工藝高級部門經理f方子文，山東大學晶體材料國家重點實驗室副教授張雷，中國電科十三所重點實驗室高級工程師王元剛等來自國內外的專家精英們圍繞著超寬禁帶技術的最新研究進展帶來精彩分享，敬請期待。
本屆論壇緊扣國家“新基建”、“十四五”等前瞻利好政策，以“把握芯機遇·助力新基建”為主題，屆時兩場國際性盛會同臺亮相，先進技術熱點高度聚焦，政產學研用行業領袖齊聚，共商未來產業發展大計。
11月23-25日，深圳會展中心見！
會議議程具體信息如下：
更多大會詳細設置與內容請參加大會官網：
http://www.sslchina.org/
部分嘉賓
分會主席：劉明 中國科學院院士、中科院微電子所研究員
長期致力于微電子科學技術領域的研究，在存儲器模型機理、材料結構、核心共性技術和集成電路的微納加工等方面做出了系統、創造性貢獻。代表性成果包括：建立了阻變存儲器（RRAM）物理模型，提出并實現高性能RRAM和集成的基礎理論和關鍵技術方法，產生重要國際影響。拓展了新型閃存材料和結構體系，提出新的可靠性表征技術、失效模型和物理機理，為存儲器產業發展提供關鍵理論和技術基礎。發表SCI收錄論文250多篇，兩項工作列入2013年ITRS（國際半導體發展路線圖）、多項工作作為典型進展被寫入15本著作和40篇綜述中。授權發明專利180件（含美國授權專利7件），主要專利轉讓/許可到多家重要集成電路企業。
分會主席： 陶緒堂 山東大學晶體材料國家重點實驗室主任、教授
主要從事激光、非線性光學晶體，寬禁帶半導體，有機及有機-無機復合鈣鈦礦光電功能材料和器件的研究。參與開辟從有機－金屬配合物中探索非線性光學晶體的新領域，首次生長了二氯氨基硫脲 合鎘非線性光學晶體。合成并生長了非線性光學效應大，紫外截止波長短的雙硫氰酸 鹽系列晶體，首次在有機晶體MHBA中獲得了半導體激光直接倍頻 紫光輸出。
郭其新 日本國立佐賀大學同步輻射光應用研究中心主任、電氣電子系教授
主要從事半導體材料制備與表征，同步輻射光應用研究。已在Nature Communications, Physical Review B, Journal of Applied Physics, Applied Physics Letters和Advanced Materials等期刊上發表SCI論文330余篇，H因子為44（Google Scholar）。
夏長泰 上海光學精密機械研究所研究員
我國共晶轉光材料研究之先行者，正積極推進該項研究在激光照明中的應用；自2004年底，即開始了氧化鎵單晶體材料之研究，他提出了氧化鎵晶體材料n型半導體摻質新方案，相關工作得到了國內外同行的關注和肯定。2017年，他發起召開了我國首屆海峽兩岸氧化鎵及其相關材料與器件研討會，他還積極倡議：“在新時代，研究人員應提高專利意識。”
劉玉懷 鄭州大學教授、河南省電子材料與系統國際聯合實驗室國家電子材料與系統國際聯合研究中心主任
研究方向為寬禁帶化合物半導體材料、器件與應用系統。主持國家重點研發計劃政府間科技創新專項項目；河南省高層次人才國際化培養項目：氮化物半導體材料與器件；2017年度河南省科技攻關計劃（國際科技合作）支持項目 ：基于氮化物半導體的高速可見光通信光源的研制；國家自然科學基金面上項目“高銦組分銦鎵氮生長機理研究”；日本科技振興機構區域振興項目，基于氮化物半導體的太陽電池關機技術研究等。多年來致力于環保節能半導體材料與器件的研究，發表期刊論文和會議報告共165篇，EI、SCI收錄40篇，國際會議邀請報告5次，日本專利公開1項，與企業合作開發的氮化物半導體紫外LED技術獲得了產業化推廣。
何云斌 湖北大學材料工程學院教授
研究方向主要為寬禁帶半導體薄膜及紫外光電探測器、氧化物表界面物理與化學、低維鈣鈦礦材料與新型光電器件等。曾作為骨干完成德國工業合作研究、歐盟國際合作優先項目、美國能源部基礎研究、中國國家自然科學基金等多個項目的研究。作為負責人主持完成或在研國家自然科學基金面上（4項）、教育部博導基金、教育部留學人員回國啟動基金、湖北省自然科學杰出青年基金、湖北省技術創新重大項目、企業合作項目等近20項研究。至今發表學術論文160余篇，其中120余篇被SCI收錄，被SCI論文引用2300余次，H-指數：26；發表論文中含材料領域頂級期刊Nature Materials(影響因子：38.891) 1篇、綜合期刊Nat. Communi.（影響因子：12.124）1篇、物理領域頂級期刊Phys. Rev. Lett.(8.462) 1篇。申請專利40余項，授權10余項。是歐洲材料學會（EMRS）、美國物理學會（APS）、中國材料學會（CMRS）、湖北省高級專家協會會員。
李強 西安交通大學副教授
英國謝菲爾德大學（University of Sheffield）電子工程系訪問學者。長期從事寬禁帶半導體材料與器件研究，主要研究方向：氧化物半導體材料（氧化銦錫ITO）和超寬禁帶半導體材料（氮化硼BN）的制備與器件應用。利用PS催化電子束蒸鍍的方式制備了ITO納米線，首次在ITO納米線上發現了ITO材料的電阻開關特性。采用磁控濺射的方式制備hBN薄膜，并致力于hBN材料特性的表征、DBR及紫外探測器方面的研究。近年來，主持的國家及省部級項目6項，擁有國家發明專利11項，在國內外重要期刊上發表學術論文30余篇，編著有《半導體微納制造技術及器件》（科學出版社）。
方子文 AIXTRON中國區市場營銷和工藝高級部門經理
主修先進半導體沉積技術，他在AIXTRON曾擔任工藝科學家，實驗室部門經理等職，精通三五族化合物半導體MOCVD外延材料生長、制備和測試。其中包括硅基GaN材料用于功率及射頻器件,SiC材料用于功率器件,GaAs/InP激光器，及Mini/Micro LED顯示面板產品使用的外延材料。
張雷 山東大學晶體材料國家重點實驗室副教授
主要從事寬禁帶半導體（GaN、AlN等）晶體材料的生長及性能研究工作。近年來在Adv.?Mater.，ACS Appl. Mater. Interfaces,?J. Mater. Chem. C, Cryst. Growth Des.等期刊發表SCI論文50余篇，其中發表在，ACS Appl. Mater. Interfaces期刊上的文章被Nature Materials期刊作為Research Highlights進行了報道。近年來獲得了國家自然科學基金（面上、青年）、中德博士后國際交流計劃、德國亥姆霍茲國家實驗室資助、中國博士后科學基金特別資助等多項國家、省部級和國外合作科研項目。申請專利16項，授權10項。2016年4月-2018年5月在德國亥姆霍茲于利希研究中心從事寬禁帶半導體晶體性能研究。
