6 月 15 日消息 今天，中微半導體設備（上海）股份有限公司（簡稱“中微公司”）首臺 8 英寸甚高頻去耦合反應離子（CCP）刻蝕設備 Primo AD-RIE 200 順利付運客戶生產線。
據悉，Primo AD-RIE 200 是中微公司自主研發的新一代 8 英寸甚高頻去耦合反應離子（CCP）刻蝕設備。基于已被業界廣泛認可的 12 英寸 CCP 刻蝕設備的成熟工藝與特性，Primo AD-RIE 200 在技術創新和生產效率方面都有了進一步提升，能夠滿足不同客戶 8 英寸晶圓的加工需求。
據悉，Primo AD-RIE 200 是中微公司自主研發的新一代 8 英寸甚高頻去耦合反應離子（CCP）刻蝕設備。基于已被業界廣泛認可的 12 英寸 CCP 刻蝕設備的成熟工藝與特性，Primo AD-RIE 200 在技術創新和生產效率方面都有了進一步提升，能夠滿足不同客戶 8 英寸晶圓的加工需求。
為提高生產效率，Primo AD-RIE 200 刻蝕設備可靈活配置多達三個雙反應臺反應腔（即六個反應臺）。此外，Primo AD-RIE 200 提供了可升級至 12 英寸刻蝕設備系統的靈活解決方案，以滿足客戶生產線未來可能擴產的需求。
