第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，優(yōu)越的材料特性讓氮化鎵功率器件具有巨大的優(yōu)勢。更快的開關(guān)速度、更低的驅(qū)動損耗、更好的EMC特性等。與硅器件相比，氮化鎵的高頻特性提升了十倍以上，這將全面提高LED驅(qū)動電源系統(tǒng)工作頻率，進(jìn)而減小系統(tǒng)的體積，使LED驅(qū)動電源更小，更輕薄。
10月22日，中國半導(dǎo)體照明網(wǎng)、極智頭條、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)在國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟指導(dǎo)下，在“NEPCON ASIA亞洲電子生產(chǎn)設(shè)備暨微電子工業(yè)展”同期，聯(lián)合勵展博覽集團(tuán)及業(yè)內(nèi)知名機(jī)構(gòu)組織籌辦“以光匯友 智控未來——2021智能照明控制系統(tǒng)創(chuàng)新應(yīng)用論壇”。
會上，英諾賽科高級產(chǎn)品應(yīng)用經(jīng)理鄒艷波帶來了題為“GaN助力LED驅(qū)動電源輕薄化”的主題報(bào)告，結(jié)合氮化鎵的特性，分享了GaN在LED驅(qū)動電源領(lǐng)域的應(yīng)用，如何輕薄化、高頻助力磁器件的小型化、GaN提升系統(tǒng)工作頻率、GaN提升系統(tǒng)效率等。
報(bào)告指出，在狹小空間內(nèi)，溫升也是一個(gè)嚴(yán)重制約應(yīng)用的因素，氮化鎵具備更低的開關(guān)損耗和更低的單位面積導(dǎo)通阻抗，可以提升LED電源的轉(zhuǎn)換效率，降低系統(tǒng)發(fā)熱，同時(shí)達(dá)到節(jié)能減排的收益，助力碳達(dá)峰和碳中和。
嘉賓簡介
鄒艷波先生，有著豐富的氮化鎵器件應(yīng)用于高頻高密電源開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，原任職于ICT領(lǐng)域知名企業(yè)，從事手機(jī)、AI智能云服務(wù)器和5G通信設(shè)備的供電解決方案的前沿技術(shù)的研究和開發(fā)。現(xiàn)任英諾賽科市場應(yīng)用高級經(jīng)理 , 負(fù)責(zé)氮化鎵器件產(chǎn)品定義和產(chǎn)品規(guī)劃，構(gòu)建公司氮化鎵器件產(chǎn)品在5G通信，新能源汽車，智能手機(jī)，人工智能，大數(shù)據(jù)中心等戰(zhàn)略新興領(lǐng)域的競爭力。
