據(jù)其在公告中表示，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體典型材料，其研究與應(yīng)用是目前半導(dǎo)體研究的前沿和熱點，是行業(yè)未來發(fā)展的主流趨勢。

 

第三代半導(dǎo)體SiC/GaN具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、電子遷移率高、熱導(dǎo)電率大、介電常數(shù)小和抗輻射能力強等特點，具有強大的功率處理能力、較高的開關(guān)頻率、更高的電壓驅(qū)動能力、更小的尺寸、更高的效率和更高速的散熱能力，可滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫高頻、高功率、高輻射等惡劣環(huán)境條件的要求。

 

在部分高端下游應(yīng)用領(lǐng)域，寬禁帶半導(dǎo)體功率器件具備不可替代的優(yōu)勢，切合節(jié)能環(huán)保、智能制造、信息安全等國家重大戰(zhàn)略需求，已成為支撐新一代移動通信、新能源汽車、高速列車、航海航空等產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級的重點核心電子元器件。

 

其強調(diào)，通過本募投項目的實施，有助于公司順應(yīng)半導(dǎo)體功率器件行業(yè)發(fā)展趨勢，提前布局SiC/GaN寬禁帶半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品，實現(xiàn)公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級，從而進(jìn)一步強化公司在半導(dǎo)體功率器件高端應(yīng)用市場的核心競爭力。

 

此外，公司寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的性能已得到國內(nèi)外的公認(rèn)，相關(guān)的襯底生產(chǎn)工藝、外延工藝、器件制備工藝等也逐步成熟。半導(dǎo)體功率器件部分下游行業(yè)需求逐漸由硅基向SiC/GaN等寬禁帶半導(dǎo)體功率器件轉(zhuǎn)變，尤其以新能源汽車、充電樁、光伏逆變、5G通訊、激光電源、服務(wù)器和消費電子快充等高端新興行業(yè)成為SiC/GaN產(chǎn)品規(guī)模擴張的主要動力。

 

該公司認(rèn)為，當(dāng)下是進(jìn)入SiC/GaN等半導(dǎo)體功率器件市場領(lǐng)域的機遇期。《2020“新基建”風(fēng)口下第三代半導(dǎo)體應(yīng)用發(fā)展與投資價值白皮書》指出，2019年我國第三代半導(dǎo)體市場規(guī)模為94.15億元，預(yù)計2019-2022年將保持85%以上平均增長速度，到2022年市場規(guī)模將達(dá)到623.42億元。

 

而公司作為國內(nèi)半導(dǎo)體功率器件十強企業(yè)之一，需把握全球?qū)捊麕О雽?dǎo)體功率器件的發(fā)展契機，抓住機遇窗口，實現(xiàn)在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)突破。通過本募投項目的實施將有助于公司加快SiC/GaN等寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)度，搶占寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的技術(shù)高地，從而鞏固公司在國內(nèi)的領(lǐng)先地位。

 

據(jù)悉，不同于“硅基”半導(dǎo)體材料及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與國際先進(jìn)水平存在較大差距，我國在寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的研究工作與國際前沿水平差異相對較小，且雖然現(xiàn)有技術(shù)與國際先進(jìn)水平仍存在差距，但隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐步向亞洲轉(zhuǎn)移，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)實力不斷提升，同時依托5G通信、新能源汽車、物聯(lián)網(wǎng)、智能裝備制造、光伏發(fā)電等新興產(chǎn)業(yè)帶來的廣闊市場空間、以及上下游產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同，我國已經(jīng)初步具備發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的能力。

 

該公司還表示，通過本募投項目的實施，有助于公司加大研發(fā)投入，充分借助目前在硅基半導(dǎo)體功率器件方面的技術(shù)基礎(chǔ)，實現(xiàn)公司產(chǎn)品和技術(shù)向?qū)捊麕О雽?dǎo)體領(lǐng)域的過渡，縮小與國際半導(dǎo)體功率器件一流企業(yè)的技術(shù)差距，從而提高國際競爭力。