《征求意見稿》提出，加快完善第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈體系，著力突破關鍵核心技術，切實提高山東省第三代半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力。到2025年，碳化硅、氮化鎵等關鍵材料國產(chǎn)化率實現(xiàn)大幅提高，芯片設計能力達到國際先進水平，全產(chǎn)業(yè)鏈基本實現(xiàn)自主可控，打造百億級國家第三代半導體產(chǎn)業(yè)高地。

 

具體來看，產(chǎn)業(yè)規(guī)模邁向新臺階。到2025年，建成較大規(guī)模先進特色工藝制程生產(chǎn)線，推動形成要素完備的第三代半導體產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)，帶動模塊及系統(tǒng)應用方面相關產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值突破 300億元。建成國際先進的第三代半導體產(chǎn)業(yè)基地，帶動形成基于第三代半導體的電力電子、微波電子、大功率半導體照明生產(chǎn)、應用系統(tǒng)為核心的產(chǎn)業(yè)集群。

 

創(chuàng)新能力取得新突破。到2025 年，突破核心關鍵技術，建設第三代半導體國家地方聯(lián)合工程研究中心、國家博士后科研工作站、院士工作站，搭建國際先進的第三代半導體公共研發(fā)、檢測和服務平臺，全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新能力得到有效提升。

 

市場主體實現(xiàn)新跨越。培育壯大掌握核心技術、具有國際競爭力和影響力的龍頭企業(yè)，帶動發(fā)展掌握核心關鍵技術的特色企業(yè)，夯實第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展根基。

 

 

按照“政府引導、龍頭帶動、園區(qū)孵化、集群推進”的總體思路，發(fā)揮國家集成電路設計濟南產(chǎn)業(yè)化基地、青島嶗山微電子產(chǎn)業(yè)園、中德生態(tài)園集成電路產(chǎn)業(yè)基地、濟寧省級信息技術產(chǎn)業(yè)基地等集聚優(yōu)勢，加大龍頭企業(yè)支持力度，加快構(gòu)建“4+N”區(qū)域布局。

 

濟南。實施高性能集成電路突破計劃，優(yōu)化升級國家集成電路設計產(chǎn)業(yè)化基地，依托山東天岳碳化硅襯底材料技術優(yōu)勢，結(jié)合濟南比亞迪半導體芯片等上下游配套項目建設，打造基于硅基和碳化硅基功率半導體器件生產(chǎn)集聚區(qū)，建成國際先進的碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)基地。

 

青島。立足本地整機（系統(tǒng)）市場應用優(yōu)勢，建設好芯恩、惠科等集成電路重大項目，以發(fā)展模擬及數(shù)模混合集成電路、智能傳感器、半導體功率器件、光電子芯片和器件、第三代

 

半導體為主線，通過抓龍頭、補短板、促融合、育生態(tài)，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)規(guī)?？焖贁U張、支撐能力顯著增強，加快培育自主可控產(chǎn)業(yè)生態(tài)。

 

濟寧。重點做大單晶硅、晶圓片、外延片等上游半導體材料，強鏈發(fā)展中游半導體分立器件、功率器件及功能芯片產(chǎn)業(yè)。加強同省內(nèi)外高校合作，面向國內(nèi)外引進吸收先進第三代半導體應用加工技術，提升產(chǎn)業(yè)發(fā)展位次。

 

濰坊。做好浪潮華光氮化鎵材料與器件產(chǎn)業(yè)化項目建設，優(yōu)化項目建設環(huán)境，全力以赴提供優(yōu)質(zhì)服務、跟蹤服務、精準服務，努力為項目推進創(chuàng)造良好條件。

 

其他市。依托本地產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎和特色，突出差異化發(fā)展，加強同重點市的協(xié)調(diào)聯(lián)動，支持做好項目招引，逐步做大產(chǎn)業(yè)規(guī)模。

 

此外，《征求意見稿》明確了4大重點任務。

 

 

以技術和產(chǎn)品發(fā)展相對成熟的碳化硅晶體材料為切入點，迅速做大碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)規(guī)模。聚焦材料、外延、芯片、封裝和應用等第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈重點環(huán)節(jié)，加強產(chǎn)學研聯(lián)合,以合資、合作方式培育和吸引高水平企業(yè)，促進產(chǎn)業(yè)集聚和產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同,打造第三代半導體電力電子、微波電子和半導體照明等第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高地。

 

1.提升材料制備能力。加速推進大尺寸 GaN、SiC 等單晶體材料生長及量產(chǎn)技術，突破 GaN、SiC 材料大直徑、低應力和低位錯缺陷等關鍵技術，全面提升 4-8 英寸 GaN 外延、SiC 襯底單晶材料產(chǎn)業(yè)化能力。突破超硬晶體材料切割和拋光等關鍵核心技術，提升 4-8 英寸 GaN、SiC 襯底材料精密加工能力。加大對薄膜材料外延生長技術的支持力度，補足第三代半導體外延材料生長環(huán)節(jié)。推動氧化鎵（Ga2O3）等新一代超寬禁帶半導體材料的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。

 

2.發(fā)展器件設計。大力扶持基于第三代半導體 GaN、SiC 的高壓大功率、微型發(fā)光二極管、毫米波、太赫茲等高端器件設計產(chǎn)業(yè)，圍繞 SiC 功率器件的新能源汽車應用和 GaN 功率器件的消費類快充市場，促進產(chǎn)學研合作以及成果轉(zhuǎn)化，引導器件設計企業(yè)上規(guī)模、上水平，提升設計產(chǎn)業(yè)集聚度，大力發(fā)展第三代半導體仿真設計軟件自主品牌產(chǎn)品，建設具有全球競爭力的器件設計和軟件開發(fā)集聚區(qū)。

 

3.布局器件制造。推進基于 GaN、SiC 的垂直型 SBD(肖特基二極管)、HEMT（高電子遷移率晶體管）、MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)、IGBT(大功率絕緣柵雙極型晶體管)、Micro-LED（微型發(fā)光二極管）、高端傳感器、MEMS(微機電系統(tǒng))，以及激光器等器件和模塊的研發(fā)制造，支持科研院所微納加工平臺建設。大力推動晶圓生產(chǎn)線建設項目，優(yōu)先發(fā)展特色工藝制程器件制造，在關鍵電力電子器件方面形成系列產(chǎn)品，綜合性能達到國際先進水平，SiC 二極管、晶體管及其模塊產(chǎn)品和GaN 器件產(chǎn)品、激光芯片及其器件產(chǎn)品具有國際競爭力。

 

4.健全封測產(chǎn)業(yè)。積極發(fā)展高端封裝測試，引進先進封測生產(chǎn)線和技術研發(fā)中心，大力發(fā)展晶圓級、系統(tǒng)級先進封裝技術以及先進晶圓級測試技術。大力支持科研院所在第三代半導體相 關的電氣性能、散熱設計、可靠性、封裝材料等方面的研發(fā)工 作，發(fā)展基于第三代半導體的功率和電源管理芯片、射頻芯片、 顯示芯片等產(chǎn)品的封測產(chǎn)業(yè)。

 

5.開發(fā)技術裝備。布局“生長、切片、拋光、外延”等核 心技術裝備，通過關鍵設備牽引，實現(xiàn)分段工藝局部成套，拓展 解決整線成套設備國產(chǎn)化，并實現(xiàn)整線集成。提升氧化爐、沉積 設備、光刻機、刻蝕設備、離子注入機、清洗機、化學研磨設備 的生產(chǎn)能力以及設備的精度和穩(wěn)定性。突破核心共性關鍵技術， 形成一流的工藝和產(chǎn)業(yè)應用技術，掌握核心裝備制造技術，打造 第三代半導體材料裝備領軍企業(yè)。研究開發(fā)碳化硅單晶智能化生 長裝備并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，突破碳化硅晶體可控生長環(huán)境精準檢測與 控制技術、基于大數(shù)據(jù)分析的數(shù)字孿生及人工智能模擬技術,形 成智能化碳化硅晶體生長裝備成套關鍵技術。

 

 

1.建設公共技術平臺。整合省內(nèi)優(yōu)勢中堅力量，謀劃建設 第三代半導體關鍵技術研究公共技術平臺，搭建國際先進的涵蓋 第三代半導體晶體生長技術、器件物理研究、微納器件設計與加 工技術、芯片封裝與測試等核心技術實體研發(fā)創(chuàng)新中心，提升研 發(fā)水平和效率。建設國際先進的第三代半導體研發(fā)、檢測和服務 公共平臺，開展芯片和器件關鍵技術攻關，研發(fā)具有自主知識產(chǎn) 權的新材料、新工藝、新器件。深入開展核心關鍵技術研究、應用驗證、測試等，引入高溫離子注入系統(tǒng)、化學機械拋光系統(tǒng)、等離子刻蝕機等關鍵工藝設備，以及大型分析檢測測試設備，為產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展提供服務支撐。

 

2.搭建成果轉(zhuǎn)化平臺。鼓勵產(chǎn)學研深度合作，聚焦第三代半導體單晶材料生長技術，器件設計與制備技術，封裝與測試技術等領域，加快推進高校及研究院所科技成果與產(chǎn)業(yè)的對接，以共建聯(lián)合實驗室等形式落實成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化，實現(xiàn)我省在半導體核心技術領域的彎道超車；建設省級第三代半導體重點實驗室、工程技術中心等，加快推進申請國家級第三代半導體實驗室，引入高端研發(fā)人才，對接先進科研成果，加速成果產(chǎn)業(yè)化進程。

 

3.發(fā)展產(chǎn)業(yè)孵化平臺。支持地市、高校聯(lián)合國內(nèi)外研發(fā)機構(gòu)和重點企業(yè)，按照新型研發(fā)機構(gòu)模式成立第三代半導體產(chǎn)業(yè)研究院，逐步建成國際先進、國內(nèi)一流的第三代半導體科技孵化器，帶動產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同發(fā)展。

 

 

1.壯大龍頭企業(yè)。加大對重點企業(yè)的關注和扶持力度,實行一企一策,協(xié)調(diào)解決企業(yè)發(fā)展關鍵制約點。優(yōu)先將符合條件的產(chǎn)業(yè)鏈重點項目納入山東省新舊動能轉(zhuǎn)換重大項目庫,充分利用好新舊動能轉(zhuǎn)換政策,進行重點扶持；圍繞 SiC、GaN 等晶體材料、功率器件和模塊、照明與顯示器件和下游應用等產(chǎn)業(yè)鏈關鍵環(huán)節(jié)，培育壯大細分行業(yè)領軍企業(yè)，逐步扶持企業(yè)上市。

 

2.融通產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)。強化需求牽引的作用，從應用端需求入手，加強從材料、芯片、器件到模塊應用產(chǎn)業(yè)鏈上下游的深度合作。加強省內(nèi)省外行業(yè)對接合作，精準招引、實施補鏈、延鏈、強鏈項目。沿鏈分批打造規(guī)模大、技術強、品牌響的“領航型”企業(yè)，培育細分領域的“瞪羚”“獨角獸”企業(yè)，促進產(chǎn)業(yè)鏈上下游、大中小企業(yè)緊密配套、融通發(fā)展，有效提升產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈的穩(wěn)定性和競爭力。

 

1.大力支持碳化硅功率模塊的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。加快實現(xiàn)碳化硅模塊量產(chǎn)，并提升碳化硅芯片及模塊在電氣性能、散熱設計、可靠性、封裝材料等方面的性能，降低生產(chǎn)成本。突破第三

 

代半導體器件在充電樁、電動汽車、家電等領域的應用關鍵技術，掃清產(chǎn)業(yè)規(guī)模擴大的技術壁壘。擴大應用規(guī)模，支持省內(nèi)碳化硅模塊生產(chǎn)企業(yè)擴大產(chǎn)能，形成碳化硅模塊產(chǎn)業(yè)集聚，打造模組開發(fā)應用產(chǎn)業(yè)化的新高地。

 

2.加快國產(chǎn)化第三代半導體產(chǎn)品應用推廣。引導省內(nèi)芯片制造、封裝測試企業(yè)與第三代半導體材料企業(yè)對接，聯(lián)合開展研發(fā)攻關，實現(xiàn)關鍵材料本地覆蓋。組織開展省內(nèi)國產(chǎn)第三代半導體應用試點示范，在襯底、芯片加工、模組應用等產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)對企業(yè)提出國產(chǎn)化比例考核要求。