2019年11月25-27日，第十六屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心盛大舉行。作為論壇重要的技術(shù)分會，“功率電子器件及封裝技術(shù)Ⅱ”論壇于26日下午成功召開。該分會由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟主辦，深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦，得到了深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局、德國愛思強(qiáng)股份有限公司、國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、中國電子科技集團(tuán)第十三研究所、英諾賽科科技有限公司、蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司的協(xié)辦支持。該會加拿大多倫多大學(xué)吳偉東教授主持。

　　會上，邀請到了英諾賽科研發(fā)中心副總裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術(shù)：從器件、封裝、到系統(tǒng)》研究報告。周博士現(xiàn)在是英諾賽科研發(fā)中心副總裁，主要研究范圍包括氮化鎵器件研發(fā)和可靠性工程。他從電子科技大學(xué)取得學(xué)士和碩士學(xué)位，并從香港科技大學(xué)取得了博士學(xué)位。

 

　　報告中，介紹了200mm E模40-650V GaN-on-Si功率HEMTs，具有最先進(jìn)的電氣性能、低寄生和易用的封裝、成功的JEDEC認(rèn)證、無dRdson和高功率系統(tǒng)效率。他認(rèn)為，200mm GaN-on-Si功率技術(shù)是為電力電子行業(yè)準(zhǔn)備的大規(guī)模采用。

 

　　首先介紹了100V和650V GaN-HEMTs的電學(xué)特性，即100V和650V器件的Vth分別為~1.5V和~2.5V，具有真正的E模工作特性和超低漏電流。然后，展示了200毫米晶圓的GaN-HEMTs電圖，顯示出良好的均勻性和再現(xiàn)性。然后介紹了40V/100V和650V器件的WLCSP和DFN封裝類型。首次報道了在200mmsi襯底上成功實現(xiàn)40V/100V GaN晶體管的JEDEC鑒定。對于100V和650V設(shè)備，還演示了幾乎動態(tài)的無Rdson操作。最后得到了40V GaN-HEMTs的35W DC-DC buck變換器和650V GaN-HEMTs的45W AC-DC變換器的峰值效率分別為96.58%和94.15%。【內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解】