量子點(diǎn)光電子器件在照明、激光和光伏領(lǐng)域具有關(guān)鍵作用，但其性能受限于納米晶氧化物電子注入層（EIL）的n型特性不足。

浙江大學(xué)林星和彭笑剛等人通過(guò)一種簡(jiǎn)單的還原處理方法，開(kāi)發(fā)了一種高n型摻雜的納米晶EIL，其電子電導(dǎo)率提高了1000倍，并增強(qiáng)了空穴阻擋能力。由此制備的量子點(diǎn)發(fā)光二極管（QLED）在亞帶隙驅(qū)動(dòng)下表現(xiàn)出優(yōu)異的效率和超高亮度，超越當(dāng)前基準(zhǔn)至少2.6倍，且僅需適度偏壓即可達(dá)到量子點(diǎn)激光二極管的水平。

這一突破使白光QLED超越了美國(guó)能源部2035年通用照明目標(biāo)（目前占全球電力消耗的15%）。本研究為理解和優(yōu)化納米晶半導(dǎo)體載流子傳輸提供了新思路，適用于多種溶液加工光電器件。

文章亮點(diǎn)總結(jié)

高導(dǎo)電性電子注入層：通過(guò)原位還原處理，將ZnMgO納米晶EIL的電子電導(dǎo)率提升1000倍，實(shí)現(xiàn)歐姆傳輸和高效空穴阻擋，顯著改善QLED性能。

超高亮度與效率：亞帶隙驅(qū)動(dòng)的QLED亮度達(dá)到現(xiàn)有技術(shù)的2.6倍以上，峰值效率接近90%，滿足通用照明的高標(biāo)準(zhǔn)需求。

超越2035能源目標(biāo)：白光QLED的光效達(dá)168-181 lm/W，色顯指數(shù)超過(guò)90，提前實(shí)現(xiàn)美國(guó)能源部2035年技術(shù)指標(biāo)。

Zheng, Y., Lin, X., Li, J. et al. In situ n-doped nanocrystalline electron-injection-layer for general-lighting quantum-dot LEDs. Nat Commun 16, 3362 (2025).

https://doi.org/10.1038/s41467-025-58471-5