- 2024-10-31 15:35投資949億韓元 Chemtronics將開始建設(shè)第8代OLED蝕刻工廠
- 2021-12-15 17:03上海大學(xué)任開琳：一種新型氮化鎵基Micro-LED及其驅(qū)動(dòng)HEMT的單片集成結(jié)構(gòu)
- 2019-11-28 09:38德國(guó)弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所部門技術(shù)部門經(jīng)理Peter BRüCKNER：高頻氮化鎵HEMT器件和MMIC
- 2019-11-27 10:11日本福井大學(xué)教授Masaaki KUZUHARA：基于半絕緣氮化鎵襯底生長(zhǎng)的高擊穿電壓氮化鎵HEMT器件
- 2018-11-02 08:26中科院半導(dǎo)體所張韻研究員：III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器
- 2017-11-07 18:09中科院微電子所研究員黃森：基于超薄壁壘AlGaN / GaN 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的常關(guān)型GaN MIS-HEMTs制造
- 2017-11-07 17:46英諾賽科副總經(jīng)理金源俊：200mm CMOS晶圓廠無(wú)分散增強(qiáng)型650V GaN-on-Si HEMTs 器件工藝
- 2017-11-07 17:40北京大學(xué)微電子學(xué)院陶明：高擊穿電壓高和低電流崩塌的常關(guān)硅基GaN MOSHEMT
- 2016-11-29 09:26【SSLCHINA 2016】北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司董博宇：磁控濺射AlN薄膜在LED、MEMS和HEMT領(lǐng)域中的應(yīng)用
- 2016-11-29 08:55【SSLCHINA 2016】中微半導(dǎo)體高級(jí)工藝工程師李洪偉：大尺寸基片上生長(zhǎng)的GaN基LED和HEMT器件
- 2016-11-22 13:00【IFWS 2016】江川孝志: 200毫米硅襯底AlGaN/GaN基HEMT的異質(zhì)外延生長(zhǎng)和器件特征
- 2016-11-22 12:55【IFWS 2016】張翼: La2O3/SiO2鈍化和銅金屬化的氮化鎵增強(qiáng)型HEMT器件
- 2016-11-21 08:39【IFWS 2016】孔月嬋：fT > 260 GHz時(shí)高性能超薄第四組InAlGaN勢(shì)壘HEMT器件
- 2016-11-21 08:12【IFWS 2016】綦振瀛: 射頻通信用AlInN/GaN HEMT器件的MOCVD外延生長(zhǎng)
- 2016-11-17 10:12【SSLCHINA 2016】河海大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院樊嘉杰：HEMT封裝上金錫共熔晶粒黏貼的可靠性優(yōu)化
相關(guān)搜索
今日搜索排行
本周搜索排行
本月搜索排行
